An Mn3Sn homo-junction enables efficient field-free full switching of chiral antiferromagnets with greatly reduced power consumption, advancing their potential for energy-efficient magnetic memory devices with advantages of ultradense integration and ultrafast speed.
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2000年，由斯坦姆引荐至太仓的德企已超10家；2007年，百家德企在此扎根；到2024年，数量突破500家。这一过程中，太仓对德合作不断提速，从1家到100家德企用了14年；从400家跃升至500家，仅两年有余。